CE 구성의 특성(特性)곡선 및 측정(測定)
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작성일 19-09-27 15:01
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A. 측정(measurement)
1. 주어진 transistor의 형(type)과 에미터, 베이스, 콜렉터 단자를 테스터를 사용하여 확인하라.
- 멀티테스터기 Range를 1R 에 두고 흑색 리드와 적색리드를 다음 순서로 측정(measurement)하여 NPN 형과 PNP 형을 먼저 구분.
A. transistor 다리 3개를 임의로 1,2,3 으로 정하고 1번핀에 적색을 고정하고 검은색리드를 나머지 2번과 3번에 접촉하였을 때 테스터기의 지침이 중간정도 움직이는 핀이 있는지를 알아본 후 하나만 움직이면 PNP형, 2개다 움직이면 NPN형 하나도 안 움직이면 적색 리드를 2번핀에 고정시킨 후 위 1번과 같은 방법으로 측정(measurement) 한다. (실제 實驗에…(省略)
CE 구성의 특성(特性)곡선 및 측정(測定)
CE 구성의 특성(特性)곡선 및 측정(測定)
실험결과/기타
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설명
다.
※ 아날로그 멀티 테스터기를 이용 시엔 검정색리드는 ㅡ 단자에 연결되어 있어야한다.
순서
CE 구성의 특성곡선 및 측정 , CE 구성의 특성곡선 및 측정기타실험결과 , CE 구성 특성곡선 측정
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實驗 #4 결과 보고서
1. 實驗 title
CE 구성의 property(특성)곡선 및 측정(measurement)
2. 實驗 목적
transistor의 접속 중 CE접속을 이용하여 회로를 구성, 그에 따른 각 저항 및 소자에서 출력되는 전류, 전압을 측정(measurement)하여 TR의 동작을 이해한다. (실제는 + 전압을 출력)
B. NPN 형 극성찾기
- R10K (10000R)에 두고 B 베이스를 제외한 2개의 핀에 테스터리드를 바꾸어 가며 접속하여 지침이 많이 움직일 때의 적색 리드를 접속한 핀이 C 콜렉터이고 나머지 핀이 이미터 이다.
3. 實驗 장비 및 재료
전원 : 가변 dc 전원
계측기 : dc 전류계 (2개), 멀티미터
저항 : 1/2 100Ω 1%, 1kΩ 1%, 1/4W 3.9Ω, 820Ω, 5kΩ (또는 4.7kΩ) 가변저항 (2개)
반도체 : 2N2222A (npn)
기타 : ON/OFF DIP 스위치 (2개)
4. 實驗절차 및 결과 분석
(실제 實驗은 저항 R1을 20k으로 하여 實驗 하였다.
pcpice , theory(이론)계산으로 나온 값과 실제 實驗을 통하여 나온 값을 비교하여 실제적인 오차를 파악하고 실제로 transistor가 어떻게 작동하는지를 알아본다.
