[공학] 반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 change(변화)에 따른 특성
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작성일 20-10-22 06:25본문
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[공학] 반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 change(변화)에 따른 특성
DIODE 온도 變化에 따른 속성
1. 實驗(실험) 목표(goal)
소자分析기를 이용하여 DIODE 온도 變化에 따른 전류-전압 속성 을 측정(測定) 한다.
위 그림은 다이오드소자만을 따로 측정(測定) 했을 때의 측정(測定) 값이다.
2.1.3. 빛이 미치는 effect(영향)
다이오드소자를 온도계에 연결 후 뚜껑이 완전히 닫히지 않은 상태(빛 차단 전)과 호일로 감싼 상태(빛 차단 후)로 비교해 보았다.
위 그림으로 다이오드의 곡선이 리니어함에 따라 다이오드소자 한 개만을 사용한 것을 알 수 있고 온도가 증가…(To be continued )
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다.
2. 實驗(실험) 결과
2.1. Si DIODE
Si DIODE의 온도 變化에 따른 I-V 속성 과 각 온도에 따른 n, IS, RS값을 구해보고 Spice 시뮬을 통해 결과값과 비교해보자.
2.1.1. Linear Forward Region I-V 속성
DIODE의 온도 變化에 따른 Linear Forward Region에 대해 알아보겠다.
빛 차단 전엔 약 0.2V부터 노이즈가 생겨 그래프가 완만하게 떨어지는 곡선을 볼 수 있고 빛 차단 후엔 0.1V이하까지도 리니어한 직선을 볼 수 있따 위 측정(測定) 결과 다이오드소자가 빛에 effect(영향) 을 받아 노이즈가 생김을 알 수 있따
2.1.4. DIODE 온도 變化에 따른 I-V 속성
DIODE의 온도 變化에 따른 Logarithm Forward Region에 대해 알아보겠다.
위 그림은 온도가 0도에서 스타트하여 20도씩 증가하여 80도까지 올라가는 Linear Forward I-V 속성 인데 온도가 증가함에 따라 더 낮은 Forward Voltage에서 상승곡선이 올라가는 것을 확인할 수 있따
2.1.2. Logarithm Forward Region I-V 속성
DIODE소자가 상온일 때의 Logarithm Forward Region에 대해 알아보겠다.
DIODE의 비선형성을 이해하고 PSPICE용 파라미터 추출을 통해 實驗(실험)결과와 PSPICE 결과를 비교한다.