실험9결과보고서. MOSFET 소스 공통 증폭기
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작성일 20-08-25 02:54
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2. FET 증폭기에 대한 바이어스 방식을 공부한다.
아래의 오른쪽 그래프는 Pspice를 통해 얻은 드레인 特性곡선 그래프이다.
VDS, V
ID, mA
0
1
3
5
7
9
11
13
15
VGS, V
-0.8
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.7
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.6
0.xxx
0.xxx
0.xxx
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0.xxx
0.xxx
-0.5
0.xxx
0.xxx
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0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
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0.xxx
-0.4
0.xxx
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0.xxx
0.xxx
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0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.3
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
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0.xxx
0.xxx
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0.xxx
-0.2
0.xxx
0.xxx
0.xxx
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0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-…(省略)
실험9결과보고서. MOSFET 소스 공통 증폭기 , 실험9결과보고서. MOSFET 소스 공통 증폭기기타실험결과 , 실험 MOSFET 소스 공통 증폭기
실험9결과보고서. MOSFET 소스 공통 증폭기
순서
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실험결과/기타
다.
VDS, V
ID, mA
0
1
3
5
7
9
11
...
`experiment(실험) 9. MOSFET 소스 공통 증폭기`
결과보고서
Ⅰ. experiment(실험) 목적
1. MOSFET의 드레인(drain)特性을 experiment(실험)적으로 결정한다.
Ⅱ. experiment(실험) 결과 및 분석
드레인 特性(게이트 제어) experiment(실험)은 아래와 같은 회로를 구성하고 게이트 전압가 -0.8V~0.8V로 변할 때, 를 0V~15V로 change(변화)시키면서 드레인 전류 를 측정(測定) 한다.
Ⅱ. experiment(실험) 결과 및 분석
드레인 特性(게이트 제어) experiment(실험)은 아래와 같은 회로를 구성하고 게이트 전압가 -0.8V~0.8V로 변할 때, 를 0V~15V로 change(변화)시키면서 드레인 전류 를 측정(測定) 한다. 이를 통 하여 게이트 전압 에 제어 될 때, 特性곡선이 어떻게 되는지 알아보는 experiment(실험)이 다. 이를 통 하여 게이트 전압 에 제어 될 때, 特性곡선이 어떻게 되는지 알아보는 experiment(실험)이 다.
2. FET 증폭기에 대한 바이어스 방식을 공부한다.
3. MOSFET 소스 공통 증폭기의 전압 이득을 측정(測定) 한다.
experiment(실험)한 결과를 아래의 표로 요약하고, 이를 이용하여 特性곡선을 그려보았다.
3. MOSFET 소스 공통 증폭기의 전압 이득을 측정(測定) 한다.
experiment(실험)한 결과를 아래의 표로 요약하고, 이를 이용하여 特性곡선을 그려보았다.
아래의 오른쪽 그래프는 Pspice를 통해 얻은 드레인 特性곡선 그래프이다.
실험,MOSFET,소스,공통,증폭기,기타,실험결과
실험9결과보고서. MOSFET 소스 공통 증폭기
설명
`experiment(실험) 9. MOSFET 소스 공통 증폭기`
결과보고서
Ⅰ. experiment(실험) 목적
1. MOSFET의 드레인(drain)特性을 experiment(실험)적으로 결정한다.
